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LEEG立格儀表SMP858-NST單晶硅雙法蘭差壓變送器
LEEG單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂，遠離介質(zhì)接觸面，實現(xiàn)械隔離和隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活能與耐瞬變電壓護的能力，可應(yīng)對復雜的化學場合和械負荷，同時具備較強的抗電磁能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測量應(yīng)用。
主要參數(shù)
壓力類型：差壓
量程范圍：10kPa-1MPa
輸出號：4-20mA，4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485
參考精度：±0.2量程上限，可選±0.5量程上限
認：CE，EXPSI，CSA，IECEx，ATEX，RoHS
技術(shù)參數(shù)
標稱量程：40kPa，250kPa，1MPa
典型精度：±0.2量程上限
年穩(wěn)定：±0.2SPAN/5年
零點影響：±0.2TD量程上限/4MPa
滿量程影響：±0.2量程上限/4MPa
電源影響：當供電電壓在10.5/16.5-55VDC內(nèi)變化，其零點和量程的變化應(yīng)不超過±0.005量程上限/V
裝位置影響：任意位置裝，大不超過400Pa可通過零功能校正
振動影響：按GB/T1827.3/IEC61298-3測試，<0.1量程上限
總阻尼時間常數(shù)：等于電子線路件和傳感膜盒阻尼時間常數(shù)之和
電子線路件阻尼時間：0-100S范圍可調(diào)
傳感膜盒（隔離傳感膜片和硅油填充液）阻尼時間：≤0.2S
斷電后上電啟動時間：≤6S
數(shù)據(jù)恢復至正常使用時間：≤31S
凈重：約2.9kg
使用環(huán)境溫度范圍：-40-85℃，一體化LCD顯示：-20-70℃
儲存環(huán)境溫度范圍：-40-110℃，一體化LCD顯示：-40-85℃
使用環(huán)境溫度范圍：5-100RH@40℃
護等級：IP67
NEPSI：ExdII-6Gb（GYB16.1265X）/ ExiaII-4Ga（GBY16.1953X）
標準型/隔型：10.5-55VDC
HART通訊協(xié)議：16.5-55VDC，通訊時負載電阻250Ω
RS485：12-32VDC
負載電阻：0-2119Ω為工作狀態(tài)，250-600Ω HART通訊
傳輸距離：<1000米
功耗：≤500mV@24VDC，20.8mA
密封方式：不銹鋼焊接密封
輸出方式：4-20mA二線制，適用供電電壓10.5-55VDC
4-20mA+HART二線制，適用供電電壓16.5-55VDC
Modbus-RTU/RS485，四線制適用供電電壓5-32VDC
過程連接
連接位置：高、低壓端連接
連接類型：毛細管遠傳
毛細管類型：鎧裝SUS304不銹鋼，徑3.5mm
隔離充灌液：常溫硅油，適用直接接觸溫度范圍- - 45 205℃
高溫硅油，適用直接接觸溫度范圍 - 0 315℃
衛(wèi)生填充液NeobeeM-20，適用直接接觸溫度范圍- 10-180℃
接液分材質(zhì)：不銹鋼SUS304S材質(zhì)，不銹鋼SUS316材質(zhì)
隔離膜片材質(zhì)：SUS316L不銹鋼，哈氏合金C
法蘭規(guī)格樣式：HG/T 20592-2009，DN50PN10凸面法蘭，HG/T 20592-2009，DN80PN10凸面法蘭，
HG/T 20592-2009，DN100PN10凸面法蘭
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