隨著半導體技術的發(fā)展，對技術的要求越來越高，特別是半導體圓片的表面質(zhì)量要求越來越嚴格，主要原因是圓片表面的粒子和金屬雜質(zhì)污染嚴重影響設備的質(zhì)量和成品率，在現(xiàn)在的集成電路生產(chǎn)中，圓片表面污染問題，還有50%以上的材料損失。

在半導體生產(chǎn)過程中，幾乎每個過程都需要清洗，圓片清洗質(zhì)量對設備性能有嚴重影響。正因為圓片清洗是半導體制造技術中**重要、**頻繁的步驟，其技術質(zhì)量直接影響設備的成品率、性能和可靠性，國內(nèi)外各大公司、研究機構等對清洗技術的研究不斷進行。等離子清洗作為一種的干式清洗技術，具有綠色環(huán)保等特點，隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展，等離子清洗機在半導體行業(yè)的應用也越來越多。

半導體污染雜質(zhì)及分類。

半導體制造需要一些有機物和無機物參與完成。此外，由于工藝總是由人們參與凈化室，半導體圓片不可避免地會被各種雜質(zhì)污染。根據(jù)污染物的來源、性質(zhì)等，大致可分為粒子、有機物、金屬離子和氧化物4種。

顆粒。

粒子主要是聚合物、光刻膠、蝕刻雜質(zhì)等。這種污染物通常主要依靠范德瓦爾斯的吸引力吸附在圓片表面，影響設備雕刻工序幾何圖形的形成和電學參數(shù)。這種污染物的去除方法主要用物理或化學方法切割粒子，逐漸減少與圓表面的接觸面積，**終去除。

有機物。

有機物雜質(zhì)的來源比較廣泛，如人的皮膚油脂、細菌、機械油、真空油、光刻膠、清洗溶劑等。這種污染物通常在圓形表面形成有機物薄膜，阻止清洗液到達圓形表面，圓形表面清洗不，清洗后金屬雜質(zhì)等污染物仍保留在圓形表面。這種污染物的清除通常在清洗過程的**步進行，主要用硫酸和過氧化氫水等方法進行。

金屬。

半導體技術中常見的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等，這些雜質(zhì)的來源主要有各種器皿、配管、化學試劑、半導體圓片加工中，在形成金屬連接的同時，也產(chǎn)生了各種金屬污染。這種雜質(zhì)的去除通常采用化學方法，通過各種試劑和化學藥品制成的清洗液和金屬離子反應，形成金屬離子的結合物，脫離圓片表面。

氧化物。

半導體圓片在含氧和水的環(huán)境下表面形成自然氧化層。該氧化膜不僅妨礙了半導體制造的許多步驟，還包括金屬雜質(zhì)，在一定條件下轉移到圓片中形成電氣缺陷。該氧化膜的去除通常用稀氫氟酸浸泡。

等離子清洗機在半導體晶圓清洗技術中的應用等離子清洗技術簡單，操作方便，無廢棄物處理和環(huán)境污染等問題。但是，它不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物。等離子體清洗常用于光刻膠的去除技術，在等離子體反應系統(tǒng)中加入少量氧氣，在強電場的作用下，使氧氣產(chǎn)生等離子體，使光刻膠迅速氧化成揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質(zhì)。該清洗技術具有去膠技術操作方便、效率高、表面清潔、無損傷、有利于確保產(chǎn)品質(zhì)量等優(yōu)點，不使用酸、堿、有機溶劑等，越來越受到重視。