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隨著新能源汽車半導體功率電子國產(chǎn)化的發(fā)展，廣電計量引進國際的測試技術(shù)，基于LV/AQG324認證標準，為功率半導體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供功率模塊電學性能檢測，材料、器件與系統(tǒng)的可靠性測試以及失效分析。技術(shù)革新帶來了驗證技術(shù)新的挑戰(zhàn)，廣電計量以LV/AQG324認證試驗為基礎(chǔ)，積極布局第三代半導體功率模塊的可靠性業(yè)務領(lǐng)域，助力器件國產(chǎn)化、高新化發(fā)展。
測試周期：
2-3個月，提供全面的認證計劃、測試等服務
服務內(nèi)容：
廣電計量失效分析實驗室功率器件技術(shù)團隊，擁有豐富的功率半導體器件檢測，器件可靠性測試，以及可靠性測試設備設計制造的經(jīng)驗，可為您提供電學參數(shù)檢測，可靠性測試，失效分析及定制化服務。
產(chǎn)品范圍：
適用于MOSFET，Diode，IGBT，第三代半導體器件等元件構(gòu)成的功率模塊。
測試項目：
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序號 |
測試項目 |
縮寫 |
樣品數(shù)/批 |
測試方法 |
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1 |
Thermal shock test |
TST |
6 |
IEC 60749-25 |
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2 |
Vibration |
V |
6 |
DIN EN 60068-2-6 |
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3 |
Mechanical shock |
MS |
6 |
DIN EN 60068-2-27 |
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4 |
Power cycling |
PCsec |
6 |
IEC 60749-34 |
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5 |
Power cycle |
PCmin |
6 |
IEC 60749-34 |
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6 |
High-temperature storage |
HTS |
6 |
IEC 60749-6 |
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7 |
Low-temperature storage |
LTS |
6 |
JEDEC JESD-22 A119 |
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8 |
High-temperature reverse bias |
HTRB |
6 |
IEC 60747-9 |
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9 |
High-temperature gate bias |
HTGB |
6 |
IEC 60747-9 |
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10 |
High-humidity, high-temperature reverse bias |
H3TRB |
6 |
IEC 60749-5 |
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11 |
Determining parasitic stray inductance |
Lp |
6 |
IEC 60747-15 |
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12 |
Determining thermal resistance |
Rth |
6 |
DIN EN 60747-15 |
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13 |
Determining short-circuit capability |
/ |
6 |
/ |
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14 |
Insulation test |
/ |
6 |
/ |
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15 |
Determining mechanical data |
/ |
6 |
/ |
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